CMPシリーズ 

Cuやlow-k膜を含む各層間絶縁膜に対して化学的ダメージを与えず、CMP後のウェーハ上に残留した金属不純物、パーティクル、有機物を効率良く洗浄することが可能なCMP後洗浄液です。


製品一覧

製品名 適用プロセス 分類 特徴
CMP-M02 Cu-CMP
W-CMP
酸性 ・酸性組成の標準品
・高い金属不純物除去性
CMP-M200 シリーズ W-CMP 酸性 ・高い有機残渣除去性
・微小パーティクル除去も実現
CMP-M300 シリーズ
(開発品)
Cu-CMP
W-CMP
酸性 ・CMP-M02よりも高いパーティクル除去性
 CMP-B200 シリーズ Cu-CMP
Co-CMP 
アルカリ性 ・高い有機残渣除去性
・各種バリアメタル(Ta,Ti,Co等)に対応
 CMP-B300 シリーズ 絶縁膜-CMP 酸性 ・高いCeO2スラリー除去性
・Wダメージ抑制
CMP-ML シリーズ
(開発品)
Co-CMP 弱酸性~
弱アルカリ性
・Co上の有機残渣除去性に特化


特徴

CMP-M02
  • CMP-M02はCu-CMP、W-CMP後の後洗浄液として利用可能です。
  • ウェハ上の金属不純物の除去能力が高い製品です。
  • その他配線材料等にはほとんどダメージを与えません。

 CMP-M02 ①初期状態.jpg  CMP-M02 ③30倍希釈.jpg CMP-M02 ④50倍希釈.jpg 

初期状態

30倍希釈品

50倍希釈品

CMPスラリーで強制汚染したウェハ表面の洗浄状態(パーティクルサイズ:>100nm)


CMP-M200シリーズ
  • CMP-M200シリーズはW-CMP後用洗浄液です。
  • W、SiN上の微小パーティクル、有機残渣の除去能力が高い製品です。
  • その他の配線材料等にはほとんどダメージを与えません。

CMP-M205.jpg
 
CMP後洗浄液後のディフェクトマップ(SiNベタ膜)



CMP-B200シリーズ
  • CMP-M200シリーズはW-CMP後用洗浄液です。
  • W、SiN上の微小パーティクル、有機残渣の除去能力が高い製品です。
  • その他の配線材料等にはほとんどダメージを与えません。

CMP-B210.jpg

 CMP後洗浄液後のディフェクトマップ(SiNベタ膜)


CMP-B300シリーズ
  • CMP-B300シリーズはセリアスラリー用のCMP後洗浄液です。
  • ILD-CMP、STI-CMP後のCeO2砥粒の除去能力が非常に高い製品です。
  • DHFと比較して、絶縁膜へのダメージは非常に少ないです。

CMP-B310.jpg

 CMP後洗浄液後の表面Ce金属濃度






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