CMPシリーズ 

Cuやlow-k膜を含む各層間絶縁膜に対して化学的ダメージを与えず、CMP後のウェーハ上に残留した金属不純物、パーティクル、有機物を効率良く洗浄することが可能なCMP後洗浄液です。

製品一覧

製品名	適用プロセス	分類	特徴
CMP-M02	Cu-CMP W-CMP	酸性	・酸性組成の標準品 ・高い金属不純物除去性
CMP-M200 シリーズ	W-CMP	酸性	・高い有機残渣除去性 ・微小パーティクル除去も実現
CMP-B200 シリーズ	Cu-CMP Co-CMP	アルカリ性	・高い有機残渣除去性 ・各種バリアメタル(Ta,Ti,Co等)に対応
CMP-B300 シリーズ	絶縁膜-CMP	酸性	・高いCeO2スラリー除去性 ・Wダメージ抑制
CMP-ML シリーズ	Co-CMP	弱酸性～ 弱アルカリ性	・高いシリカスラリー除去性
CMP-M302	SiC-CMP	酸性	・高い酸化マンガンスラリー除去性

特徴

CMP-M02

• CMP-M02はCu-CMP、W-CMP後の後洗浄液として利用可能です。
• ウェハ上の金属不純物の除去能力が高い製品です。
• その他配線材料等にはほとんどダメージを与えません。

CMP-M200シリーズ

• CMP-M200シリーズはW-CMP後用洗浄液です。
• W、SiN上の微小パーティクル、有機残渣の除去能力が高い製品です。
• その他の配線材料等にはほとんどダメージを与えません。

CMP-B200シリーズ

• CMP-B200シリーズはCu-CMP後用アルカリ洗浄液です。
• Cu上のパーティクル、有機残渣の除去能力が高い製品です。
• その他の配線材料等にはほとんどダメージを与えません。

CMP-B300シリーズ

• CMP-B300シリーズはセリアスラリー用のCMP後洗浄液です。
• ILD-CMP、STI-CMP後のCeO₂砥粒の除去能力が非常に高い製品です。
• DHFと比較して、絶縁膜へのダメージは非常に少ないです。

CMP-M302

• CMP-M302は酸化マンガンスラリー用のCMP後洗浄液です。
• SiCウェハのCMP後のスラリー除去能力が高い製品です。

※その他ラインナップにつきましては、以下フォームよりお問い合わせ下さい

製品情報